氩离子抛光仪的应用范围及技术规格

点击次数：1100 更新时间：2021-05-20

　　氩离子抛光仪采用离子束斜坡切割法制备各种较好的固体材料横截面平面样品，用于SEM成像观察及显微分析；也可通过对样品进行温和抛光和清洁处理，用于电子背散射衍射(EBSD)研究以及取向分布成像显微分析(OIM)的样品制备。

　　氩离子抛光仪的技术规格：

　　离子源：两只离子枪；聚焦高能离子枪，能量范围2keV to 10keV；聚焦低能离子枪，能量范围100eV to 2keV

　　连续和独立可调减薄能量；束流密度： zei大240mA/cm(聚焦高能离子枪)；zei大10mA/cm(聚焦低能离子枪)

　　溅射速率： 180 μm/h(Si at 30，聚焦高能离子枪)；28 μm/h(Si at 30，聚焦低能离子枪)

　　样品台：样品尺寸：斜坡切割样品座：zei大20mm x 20mm x 4mm；用于EBSD表面清洁的样品座：zei大25mm x 15mm；样品定位：高精度样品定位(斜坡切割)：精度<2 μm；样品倾斜： 0° to 30°；样品旋转：平面转动360°；样品振荡：平面振荡+10° to 45°

　　真空系统：无油隔膜泵加涡轮分子泵，复合真空计(皮拉尼/潘宁)

　　气体供给： 99.999%高纯氩气，带有电动针阀的高精度工作气流控制

　　成像系统：高分辨率CCD相机，带有手动变焦镜头，放大倍数50-400x

　　电脑控制：易使用图形用户界面，带有可选的图像处理模块，自动设置离子源、减薄参数及操作控制

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